
MUR2X100A02 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4166.17 грн |
10+ | 3557.57 грн |
25+ | 2798.53 грн |
52+ | 2786.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR2X100A02 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MUR2X100A02
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUR2X100A02 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MUR2X100A02 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MUR2X100A02 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |