
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 32.60 грн |
21+ | 29.50 грн |
25+ | 29.33 грн |
100+ | 26.61 грн |
500+ | 23.15 грн |
1000+ | 20.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR4100EG ON Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1000V 4A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000.
Інші пропозиції MUR4100EG за ціною від 22.53 грн до 70.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; bulk; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns Case: CASE267-05 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.85V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 70A Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: THT |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 |
на замовлення 5667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; bulk; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns Case: CASE267-05 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.85V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 70A Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 763 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MUR4100EG Код товару: 101493
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |