Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURA105T3G ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SMA, Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MURA105T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MURA105T3G | onsemi |
 Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMAReverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: SMA Current - Average Rectified (Io): 2A Technology: Standard |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MURA105T3G | onsemi |
Rectifiers 50V 1A UltraFast |
на замовлення 49351 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURA105T3G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 317 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MURA105T3G |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURA105T3G |
|
Виробник: onsemi
Rectifiers 50V 1A UltraFast
Rectifiers 50V 1A UltraFast
на замовлення 49351 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
| MURA105T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURA105T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURA105T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)