
MURA110T3G onsemi

Description: DIODE STANDARD 100V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 7.77 грн |
10000+ | 7.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURA110T3G onsemi
Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 875mV, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURA1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MURA110T3G за ціною від 6.90 грн до 39.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 875mV Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 14655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 30ns; SMA; Ufmax: 0.875V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G Код товару: 76392
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 42117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MURA110T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 150868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 30ns; SMA; Ufmax: 0.875V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 875mV Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 14655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MURA110T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |