
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 6.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURA160T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MURA160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURA1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MURA160T3G за ціною від 6.17 грн до 37.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 17561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MURA160T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 104996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MURA160T3G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 443 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|