MURB1620CTT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 48.12 грн |
| 1600+ | 44.14 грн |
| 2400+ | 43.98 грн |
| 4000+ | 37.73 грн |
| 5600+ | 37.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURB1620CTT4G onsemi
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 975mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURB1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MURB1620CTT4G за ціною від 50.47 грн до 166.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV Mounting: SMD Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 0.895V Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common cathode; double Case: D2PAK Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 35ns |
на замовлення 640 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAKCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 25389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MURB1620CTT4G | onsemi |
Rectifiers 200V 16A Ultrafast Common Cathode |
на замовлення 8177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 975mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 975mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MURB1620CTT4G | ON |
09+ QFN48 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 54.10 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 54.10 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 65.81 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 65.88 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 114.22 грн |
| 125+ | 113.09 грн |
| 161+ | 87.70 грн |
| 250+ | 54.51 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 0.895V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 0.895V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 117.08 грн |
| 5+ | 102.12 грн |
| 10+ | 81.53 грн |
| 20+ | 72.48 грн |
| 50+ | 63.42 грн |
| 100+ | 58.47 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.39 грн |
| 10+ | 79.46 грн |
| 100+ | 63.38 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 166.95 грн |
| 10+ | 114.22 грн |
| 25+ | 113.09 грн |
| 100+ | 84.57 грн |
| 250+ | 50.47 грн |
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Rectifiers 200V 16A Ultrafast Common Cathode
Rectifiers 200V 16A Ultrafast Common Cathode
на замовлення 8177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ON
09+ QFN48
09+ QFN48
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





