на замовлення 18820 шт:
термін постачання 646-655 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.43 грн |
| 10+ | 51.29 грн |
| 100+ | 30.84 грн |
| 500+ | 25.77 грн |
| 1000+ | 21.9 грн |
| 2500+ | 19.56 грн |
| 5000+ | 19.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURD320T4G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MURD320T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MURD320T4G | Виробник : ON |
 07+; |
на замовлення 32300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MURD320T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
MURD320T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
MURD320T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
MURD320T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
MURD320T4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
|
|
MURD320T4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |