MURD320T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DPAK
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.58 грн |
| 5000+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURD320T4G onsemi
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURD3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MURD320T4G за ціною від 22.89 грн до 39.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MURD320T4G | onsemi |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DPAKCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MURD320T4G | onsemi |
Rectifiers 200V 3A Ultrafast |
на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURD320T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURD320T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MURD320T4G | ON |
07+; |
на замовлення 32300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.12 грн |
| 5000+ | 26.15 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.22 грн |
| 5000+ | 26.26 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 511+ | 27.63 грн |
| 513+ | 27.51 грн |
| 517+ | 27.31 грн |
| 521+ | 26.14 грн |
| 525+ | 24.02 грн |
| 1000+ | 22.89 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.88 грн |
| 28+ | 27.51 грн |
| 100+ | 26.34 грн |
| 250+ | 24.20 грн |
| 500+ | 23.05 грн |
| 1000+ | 22.89 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.34 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 900+ | 39.24 грн |
| 1000+ | 36.20 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Switching 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 900+ | 39.24 грн |
| 1000+ | 36.20 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.89 грн |
| 11+ | 28.54 грн |
| 100+ | 23.66 грн |
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Rectifiers 200V 3A Ultrafast
Rectifiers 200V 3A Ultrafast
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURD320T4G |
![]() |
Виробник: ON
07+;
07+;
на замовлення 32300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




