MURD620CTT4G ON Semiconductor
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.14 грн |
| 5000+ | 16.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURD620CTT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MURD620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.13 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.13V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURD6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MURD620CTT4G за ціною від 15.45 грн до 55.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MURD620CTT4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MURD620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.13 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.13V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MURD620CTT4G | Виробник : onsemi |
Rectifiers 200V 6A Ultrafast |
на замовлення 21562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.13 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.13V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD6 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 13407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
MURD620CTT4G SMD universal diodes |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : ON |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : ON |
07+ |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : ON |
SOT252 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : OnSemi |
SOP-8 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2173 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 6A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |