| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14298.04 грн |
| 5+ | 14083.75 грн |
| 10+ | 13873.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURH10060 Navitas Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: D-67, Current - Average Rectified (Io): 100A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D-67, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MURH10060
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D-67 Current - Average Rectified (Io): 100A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D-67 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURH10060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 100A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 100A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURH10060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURH10060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику
од. на суму грн.




