MURHB860CTT4G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURHB860CTT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції MURHB860CTT4G за ціною від 77.46 грн до 115.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MURHB860CTT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MURHB860CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
MURHB860CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifiers 600V 8A Ultrafast |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| MURHB860CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
MURHB860CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 8A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MURHB860CTT4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MURHB860CTT4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |