Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURHB860CTT4G ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MURHB860CTT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MURHB860CTT4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MURHB860CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


