MURS120HE3_A/H Vishay General Semiconductor
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.14 грн |
| 11+ | 29.4 грн |
| 100+ | 17.77 грн |
| 500+ | 13.87 грн |
| 750+ | 11.23 грн |
| 2250+ | 9.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURS120HE3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MURS120HE3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MURS120HE3_A/H | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 200V 2A Automotive 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
MURS120HE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
MURS120HE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |