
MURS120T3G ON Semiconductor
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
69+ | 5.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURS120T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MURS120T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AA (SMB), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 875mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURS1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MURS120T3G за ціною від 4.37 грн до 38.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURS120T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 272500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 907500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 875mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURS1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 907500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 274702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 40395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MURS120T3G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MURS120T3G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 258 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MURS120T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MURS120T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G Код товару: 34542
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MURS120T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |