Технічний опис MURS320HE3_A/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MURS320HE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
MURS320HE3_A/I | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 3.0A 25ns 125 Amp IFSM |
на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MURS320HE3_A/I |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 200 Volt 3.0A 25ns 125 Amp IFSM
Rectifiers 200 Volt 3.0A 25ns 125 Amp IFSM
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



