MURT20020R GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURT20020R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Three Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Three Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MURT20020R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MURT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURT20020R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.