MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Three Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Three Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MURT20060
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURT20060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.