MURTA500120R GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURTA500120R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Three Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Three Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MURTA500120R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MURTA500120R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA500120R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.