
MVSF2N02ELT1G onsemi

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 20V, 2.8A, 85mohm 20V 2.8A 85 mOhm Single N-Channel SOT-23 Logic Level
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.01 грн |
10+ | 41.02 грн |
100+ | 29.28 грн |
500+ | 26.79 грн |
1000+ | 24.15 грн |
3000+ | 21.50 грн |
6000+ | 20.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MVSF2N02ELT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V.
Інші пропозиції MVSF2N02ELT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MVSF2N02ELT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
MVSF2N02ELT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MVSF2N02ELT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MVSF2N02ELT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |