MW6S004NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 642.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MW6S004NT1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MW6S004NT1 за ціною від 633.11 грн до 1338.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MW6S004NT1 Код товару: 200251 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товар відсутній |