Інші пропозиції MW6S004NT1 за ціною від 1012.53 грн до 1685.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 3533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MW6S004NT1 | NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1083.63 грн |
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1412.14 грн |
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1685.36 грн |
| 10+ | 1300.91 грн |
| 25+ | 1220.42 грн |
| 100+ | 1062.31 грн |
| 250+ | 1022.75 грн |
| 500+ | 1012.53 грн |
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MW6S004NT1 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






