MW6S004NT1 NXP Semiconductors
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1760.36 грн |
| 10+ | 1419.56 грн |
| 100+ | 1091.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MW6S004NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: PLD-1.5, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MW6S004NT1 за ціною від 3005.77 грн до 5283.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
MW6S004NT1 Код товару: 200251
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MW6S004NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товару немає в наявності |