Продукція > NXP > MW6S010GNR1

MW6S010GNR1 NXP

FSCLS04580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - MW6S010GNR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MW6S010GNR1 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 960MHz, Power - Output: 10W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Part Status: Active, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 125 mA.

Інші пропозиції MW6S010GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1
Код товару: 89317
Додати до обраних Обраний товар

MW6S010N.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Виробник : NXP Semiconductors 112967174170121mw6s010n.pdf Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Виробник : NXP Semiconductors 112967174170121mw6s010n.pdf Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Виробник : NXP USA Inc. MW6S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 10W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 125 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Виробник : NXP USA Inc. MW6S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 10W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 125 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Виробник : NXP Semiconductors MW6S010N-3139315.pdf RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 10W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.