MWI100-12A8
Виробник:
IGBT-шестерка, Vces=1200V, Ic25=160A, Ic80=110A, Vce(sat)=2.2V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MWI100-12A8
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA, Power - Max: 640 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: E3, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: E3, Packaging: Box.
Інші пропозиції MWI100-12A8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MWI100-12A8 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA Power - Max: 640 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 160 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: E3 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: E3 Packaging: Box |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MWI100-12A8 | IXYS |
IGBT Modules 100 Amps 1200V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MWI100-12A8 |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Power - Max: 640 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E3
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Power - Max: 640 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E3
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MWI100-12A8 |
|
Виробник: IXYS
IGBT Modules 100 Amps 1200V
IGBT Modules 100 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.