MWI15-12A7 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E2
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E2
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MWI15-12A7 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA, Power - Max: 140 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: E2, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: E2, Packaging: Box.
Інші пропозиції MWI15-12A7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MWI15-12A7 | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MWI15-12A7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.

