Продукція > IXYS > MWI30-06A7
MWI30-06A7

MWI30-06A7 IXYS

MWI30-06A7_MWI30-06A7T-481310.pdf
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 30 Amps 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MWI30-06A7 IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Collector current: 30A, Power dissipation: 140W, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Application: motors, Max. off-state voltage: 0.6kV, Technology: NPT, Topology: IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor.

Інші пропозиції MWI30-06A7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MWI30-06A7 MWI30-06A7%28T%29.pdf IGBT-шестерка, Vces=600V, Ic25=45A, Ic80=30A, Vce(sat)=1.9V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Application: motors
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 MWI30-06A7%28T%29.pdf
IGBT-шестерка, Vces=600V, Ic25=45A, Ic80=30A, Vce(sat)=1.9V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI30-06A7 MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Application: motors
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.