Продукція > IXYS > MWI50-06A7

MWI50-06A7 IXYS

Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MWI50-06A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MWI50-06A7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MWI50-06A7	Виробник : IXYS	75A/600V/MOSFET	на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MWI50-06A7	Виробник : ABB	07+;	на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MWI50-06A7	Виробник : Littelfuse	Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MWI50-06A7	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.