MWI50-12A7


MWI50-12A7_MWI50-12A7T.pdf
Код товару: 112048
Виробник:
Транзистори > IGBT

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MWI50-12A7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MWI50-12A7 Виробник : IXYS MWI50-12A7_MWI50-12A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI50-12A7 Виробник : IXYS MWI50-12A7_MWI50-12A7T.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12A7 Виробник : IXYS 6d7a3ee0_ad1c_4868_9f3d_fb452e2e91e8-1546571.pdf IGBT Modules 50 Amps 1200V
товар відсутній
MWI50-12A7 Виробник : IXYS MWI50-12A7_MWI50-12A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній