Продукція > IXYS > MWI75-06A7T

MWI75-06A7T IXYS

Виробник: IXYS
IGBT Modules 75 Amps 600V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MWI75-06A7T IXYS

Category: IGBT modules, Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor, Collector current: 60A, Power dissipation: 280W, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 120A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Application: motors, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: NPT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MWI75-06A7T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MWI75-06A7T	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor Collector current: 60A Power dissipation: 280W Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: NPT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MWI75-06A7T	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MWI75-06A7T	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor Collector current: 60A Power dissipation: 280W Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: NPT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.