MWI75-12T8T IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 360 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: E3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MWI75-12T8T IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Power - Max: 360 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: E3, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: E3, Packaging: Box.
Інші пропозиції MWI75-12T8T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MWI75-12T8T | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MWI75-12T8T |
![]() |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



