Продукція > IXYS > MWI80-12T6K

MWI80-12T6K IXYS

Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MWI80-12T6K IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1, Packaging: Box, Package / Case: E1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E1, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 270 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MWI80-12T6K

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	MWI80-12T6K	Виробник : IXYS	MWI80-12T6K IGBT modules	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	MWI80-12T6K	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.