Технічний опис MX0912B251Y,114 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-439A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.4dB, Power - Max: 690W, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: CDFM2.
Інші пропозиції MX0912B251Y,114
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MX0912B251Y,114 | Виробник : Ampleon USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2Packaging: Tray Package / Case: SOT-439A Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7.4dB Power - Max: 690W Current - Collector (Ic) (Max): 15A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Frequency - Transition: 1.215GHz Supplier Device Package: CDFM2 |
товару немає в наявності |
|
| MX0912B251Y,114 | Виробник : NXP Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL |
товару немає в наявності |