Продукція > AMPLEON USA INC. > MX0912B251Y,114
MX0912B251Y,114

MX0912B251Y,114 Ampleon USA Inc.

MX0912B251Y.pdf
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Supplier Device Package: CDFM2
Frequency - Transition: 1.215GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Power - Max: 690W
Gain: 7.4dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-439A
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MX0912B251Y,114 Ampleon USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2, Supplier Device Package: CDFM2, Frequency - Transition: 1.215GHz, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Power - Max: 690W, Gain: 7.4dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-439A, Packaging: Tray.

Інші пропозиції MX0912B251Y,114

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MX0912B251Y,114 NXP MX0912B251Y.pdf Биполярные транзисторы - BJT BULKTR TNS-MICL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 NXP Semiconductors MX0912B251Y-354907.pdf Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 MX0912B251Y.pdf
Виробник: NXP
Биполярные транзисторы - BJT BULKTR TNS-MICL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 MX0912B251Y-354907.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.