Продукція > NXP > MX0912B251Y,114

MX0912B251Y,114 NXP

MX0912B251Y.pdf
Виробник: NXP
Биполярные транзисторы - BJT BULKTR TNS-MICL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MX0912B251Y,114 NXP

Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-439A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.4dB, Power - Max: 690W, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: CDFM2.

Інші пропозиції MX0912B251Y,114

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MX0912B251Y,114 MX0912B251Y,114 Ampleon USA Inc. MX0912B251Y.pdf Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-439A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.4dB
Power - Max: 690W
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: CDFM2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 NXP Semiconductors MX0912B251Y-354907.pdf Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 MX0912B251Y.pdf
MX0912B251Y,114
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-439A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.4dB
Power - Max: 690W
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: CDFM2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX0912B251Y,114 MX0912B251Y-354907.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.