
MX0912B351Y Ampleon USA Inc.

Description: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-439A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 960W
Current - Collector (Ic) (Max): 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: CDFM2
Part Status: Active
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 18582.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MX0912B351Y Ampleon USA Inc.
Description: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-439A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 960W, Current - Collector (Ic) (Max): 21A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: CDFM2, Part Status: Active.
Інші пропозиції MX0912B351Y
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MX0912B351Y Код товару: 139420
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
MX0912B351Y |
![]() |
товару немає в наявності |
|||
MX0912B351Y | Виробник : Advanced Semiconductor, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |