MXB12R600DPHFC IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 15A
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1033.26 грн |
| 25+ | 619.70 грн |
| 50+ | 571.18 грн |
| 100+ | 497.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MXB12R600DPHFC IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; N; 600V; 18A; 130W; i4-pac; 145ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: X2-Class, Polarisation: N, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 18A, Power dissipation: 130W, Case: i4-pac, On-state resistance: 0.16Ω, Mounting: THT, Gate charge: 37nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 145ns.
Інші пропозиції MXB12R600DPHFC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MXB12R600DPHFC | IXYS |
MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MXB12R600DPHFC |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak
MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)