MXSMCJ30CAe3 Microchip Technology
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 1343.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MXSMCJ30CAe3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V, Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Інші пропозиції MXSMCJ30CAe3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MXSMCJ30CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 30V 1.5KW 2-Pin SMC Bag |
товару немає в наявності |
|
.jpg "MXSMCJ30CAe3") |
MXSMCJ30CAe3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |