Продукція > ONSEMI > N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

N01S830BAT22I onsemi

n01s830ha-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.96 грн
10+261.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис N01S830BAT22I onsemi

Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP, Speicherdichte: 1MB, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: 20MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Synchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції N01S830BAT22I

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
N01S830BAT22I N01S830BAT22I onsemi n01s830ha-d.pdf SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22I N01S830BAT22I ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22I ON Semiconductor n01s830ha-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22I n01s830ha-d.pdf
N01S830BAT22I
Виробник: onsemi
SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22I N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22I n01s830ha-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.