N0436N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 247.20 грн |
| 10+ | 154.61 грн |
| 100+ | 107.48 грн |
| 500+ | 81.96 грн |
| 1000+ | 75.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0436N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0436N-ZK-E1-AY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
N0436N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| N0436N-ZK-E1-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



