Продукція > RENESAS ELECTRONICS > N0602N-S19-AY
N0602N-S19-AY

N0602N-S19-AY Renesas Electronics

REN_r07ds0558ej0200-n0602n_DST_20200610.pdf
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 100A 4.6mohm TO-220
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.66 грн
10+148.23 грн
100+89.88 грн
500+73.16 грн
1000+67.09 грн
2000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис N0602N-S19-AY Renesas Electronics

Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції N0602N-S19-AY за ціною від 105.67 грн до 232.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
N0602N-S19-AY N0602N-S19-AY Виробник : RENESAS 3685611.pdf Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.47 грн
10+152.00 грн
100+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
N0602N-S19-AY Виробник : Renesas Electronics America r07ds0558ej0100_pomosfet.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.