N0603N-S23-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.68 грн |
| 10+ | 155.80 грн |
| 100+ | 126.08 грн |
| 500+ | 105.17 грн |
| 1000+ | 90.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0603N-S23-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc), Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0603N-S23-AY за ціною від 77.48 грн до 210.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
N0603N-S23-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 100A 4.6mohm TO-262 / D2PAK(L) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|