N0603N-S23-AY Renesas Electronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.63 грн |
| 10+ | 127.75 грн |
| 100+ | 90.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0603N-S23-AY Renesas Electronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc), Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0603N-S23-AY за ціною від 93.73 грн до 200.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
N0603N-S23-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc) Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| N0603N-S23-AY | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |