N0607N-ZK-E1-AY

N0607N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation


n0607n-datasheet-0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис N0607N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: ABU / MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції N0607N-ZK-E1-AY за ціною від 51.70 грн до 210.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
N0607N-ZK-E1-AY N0607N-ZK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1250ej0202-n0607n_DST_20190930.pdf MOSFETs P.TRANS. N-CH POWER MOSFET 60V TO-252
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.39 грн
10+124.19 грн
100+75.25 грн
500+61.10 грн
3000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
N0607N-ZK-E1-AY N0607N-ZK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation n0607n-datasheet-0 Description: ABU / MOSFET
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.06 грн
10+130.73 грн
100+89.93 грн
500+68.04 грн
1000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.