Продукція > NAN > NAND02GW3B2D-N6E

NAND02GW3B2D-N6E


Виробник:

на замовлення 8064 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NAND02GW3B2D-N6E

Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 48-TSOP, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції NAND02GW3B2D-N6E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NAND02GW3B2DN-6E
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NAND02GW3B2DN6E Виробник : NUMONYX NAND02GxxBxD.pdf
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NAND02GW3B2DN6E NAND02GW3B2DN6E Виробник : Micron Technology Inc. NAND02GxxBxD.pdf Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAND02GW3B2DN6E Виробник : STMicroelectronics NAND02GxxBxD.pdf NAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAND02GW3B2DN6E Виробник : Micron NAND02GxxBxD.pdf Micron
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.