NAND02GW3B2D-N6E
Виробник:
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NAND02GW3B2D-N6E
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 48-TSOP, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NAND02GW3B2D-N6E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NAND02GW3B2DN-6E |
на замовлення 8064 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
NAND02GW3B2DN6E | Виробник : NUMONYX |
![]() |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NAND02GW3B2DN6E | Виробник : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
NAND02GW3B2DN6E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
NAND02GW3B2DN6E | Виробник : Micron |
![]() |
товару немає в наявності |