NAND02GW3B2D-N6E
Виробник:
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NAND02GW3B2D-N6E
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256M x 8, Access Time: 25 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 48-TSOP, Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 2Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Packaging: Tray.
Інші пропозиції NAND02GW3B2D-N6E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NAND02GW3B2DN-6E |
на замовлення 8064 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| NAND02GW3B2DN6E | NUMONYX |
 |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NAND02GW3B2DN6E |
|
Виробник: NUMONYX
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)