Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NBRB8H100T4G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C.
Інші пропозиції NBRB8H100T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NBRB8H100T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NBRB8H100T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


