NCD57000DWR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 283.73 грн |
| 250+ | 275.54 грн |
| 500+ | 265.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57000DWR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 7.1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 66ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NCD57000DWR2G за ціною від 253.07 грн до 655.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57000DWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 7.8A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCD57000DWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 7.8A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCD57000DWR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCD57000DWR2G | Виробник : onsemi |
Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation. |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCD57000DWR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCD57000DWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1713 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NCD57000DWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 7.8A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NCD57000DWR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V |
товару немає в наявності |