Продукція > ONSEMI > NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G

NCD57000DWR2G ONSEMI

2736020.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+371.29 грн
25+347.13 грн
50+308.87 грн
100+272.68 грн
250+265.09 грн
500+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCD57000DWR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 7.1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 66ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NCD57000DWR2G за ціною від 234.59 грн до 607.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NCD57000DWR2G NCD57000DWR2G ONSEMI 2736020.pdf Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.52 грн
10+371.29 грн
25+347.13 грн
50+308.87 грн
100+272.68 грн
250+265.09 грн
500+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G NCD57000DWR2G onsemi NCD57000_D-2316780.pdf Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation.
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.59 грн
10+477.13 грн
100+343.10 грн
250+327.91 грн
500+298.92 грн
1000+260.26 грн
2000+250.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G NCD57000DWR2G onsemi ncd57000-d.pdf Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA
Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.33 грн
10+392.33 грн
25+342.08 грн
100+267.75 грн
250+241.59 грн
500+234.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G ON Semiconductor ncd57000-d.pdf
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G 2736020.pdf
NCD57000DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+465.52 грн
10+371.29 грн
25+347.13 грн
50+308.87 грн
100+272.68 грн
250+265.09 грн
500+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G NCD57000_D-2316780.pdf
NCD57000DWR2G
Виробник: onsemi
Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation.
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+535.59 грн
10+477.13 грн
100+343.10 грн
250+327.91 грн
500+298.92 грн
1000+260.26 грн
2000+250.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G ncd57000-d.pdf
NCD57000DWR2G
Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA
Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+607.33 грн
10+392.33 грн
25+342.08 грн
100+267.75 грн
250+241.59 грн
500+234.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57000DWR2G ncd57000-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.