NCD57001FDWR2G onsemi
Виробник: onsemiIsolated Gate Drivers Isolated High Current IGBT Gate Driver Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.04 грн |
| 10+ | 316.25 грн |
| 100+ | 224.52 грн |
| 500+ | 191.31 грн |
| 1000+ | 165.4 грн |
| 2000+ | 153.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57001FDWR2G onsemi
Isolated Gate Drivers Isolated High Current IGBT Gate Driver Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation.
Інші пропозиції NCD57001FDWR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57001FDWR2G | Виробник : onsemi |
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E |
на замовлення 17886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
NCD57001FDWR2G | Виробник : onsemi |
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NCD57001FDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |