Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57001FDWR2G onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO.
Інші пропозиції NCD57001FDWR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57001FDWR2G | onsemi |
 Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NCD57001FDWR2G | onsemi |
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCD57001FDWR2G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)