NCD57001FDWR2G onsemi
Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.52 грн |
| 10+ | 270.72 грн |
| 25+ | 225.54 грн |
| 100+ | 172.68 грн |
| 250+ | 165.63 грн |
| 500+ | 150.83 грн |
| 1000+ | 150.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57001FDWR2G onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO.
Інші пропозиції NCD57001FDWR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57001FDWR2G | onsemi |
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E |
на замовлення 17886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NCD57001FDWR2G | onsemi |
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCD57001FDWR2G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
на замовлення 17886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
Description: ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCD57001FDWR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)