NCD5701BDR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 113.53 грн |
| 250+ | 106.61 грн |
| 500+ | 103.84 грн |
| 1000+ | 101.76 грн |
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Технічний опис NCD5701BDR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.8A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 13.2V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 56ns, Ausgabeverzögerung: 63ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NCD5701BDR2G за ціною від 101.76 грн до 343.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NCD5701BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD5701BDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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NCD5701BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
на замовлення 9659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD5701BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCD5701BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
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на замовлення 7280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |