Продукція > ONSEMI > NCD57080BDR2G
NCD57080BDR2G

NCD57080BDR2G ONSEMI

3191471.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.44 грн
250+79.42 грн
500+72.98 грн
1000+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCD57080BDR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: NSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 60ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NCD57080BDR2G за ціною від 67.83 грн до 190.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G Виробник : ONSEMI 3191471.pdf Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.65 грн
10+141.08 грн
50+129.39 грн
100+98.44 грн
250+79.42 грн
500+72.98 грн
1000+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G Виробник : onsemi design-resources?notFound=ncd57080a-d.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.13 грн
10+143.77 грн
25+115.34 грн
100+102.69 грн
250+90.04 грн
500+81.86 грн
1000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G Виробник : onsemi design-resources?notFound=ncd57080a-d.pdf Description: ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G Виробник : onsemi design-resources?notFound=ncd57080a-d.pdf Description: ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.