
NCD57090BDWR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 107.33 грн |
250+ | 95.16 грн |
500+ | 88.01 грн |
1000+ | 80.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57090BDWR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 60ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCD57090BDWR2G за ціною від 80.85 грн до 280.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCD57090BDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCD57090BDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NCD57090BDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |