NCD57090EDWR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 101.91 грн |
| 2000+ | 95.69 грн |
| 3000+ | 94.47 грн |
| 5000+ | 87.39 грн |
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Технічний опис NCD57090EDWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5, Treiberkonfiguration: Nicht invertierend, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik-ICs, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1, Betriebstemperatur, min.: -65, Quellstrom: 6.5, Versorgungsspannung, min.: 3.3, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: NCx57090y, Versorgungsspannung, max.: 15, Eingabeverzögerung: 60, Ausgabeverzögerung: 60, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NCD57090EDWR2G за ціною від 94.87 грн до 187.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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NCD57090EDWR2G | onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
на замовлення 18075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57090EDWR2G | onsemi |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik-ICs usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCD57090EDWR2G |
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Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
на замовлення 18075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.04 грн |
| 10+ | 134.61 грн |
| 25+ | 123.19 грн |
| 100+ | 103.86 грн |
| 250+ | 98.25 грн |
| 500+ | 94.87 грн |
| NCD57090EDWR2G |
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Виробник: onsemi
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCD57090EDWR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCD57090EDWR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)