NCD57200DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 100+ | 67.36 грн |
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Технічний опис NCD57200DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: -V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCD57200DR2G за ціною від 44.24 грн до 98.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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NCD57200DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: -V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide |
на замовлення 5670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
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на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
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NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
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NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Description: HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE |
товар відсутній |
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NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Description: HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE |
товар відсутній |