Інші пропозиції NCD57200DR2G за ціною від 52.36 грн до 151.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57200DR2G | onsemi |
 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | onsemi |
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 36595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A
Technology: Capacitive Coupling
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 1
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A
Technology: Capacitive Coupling
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 53.79 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A
Technology: Capacitive Coupling
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 1
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A
Technology: Capacitive Coupling
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Number of Channels: 1
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.01 грн |
| 10+ | 78.44 грн |
| 25+ | 71.24 грн |
| 100+ | 59.40 грн |
| 250+ | 55.84 грн |
| 500+ | 53.69 грн |
| 1000+ | 52.36 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 111.81 грн |
| 146+ | 101.02 грн |
| 165+ | 89.75 грн |
| 250+ | 81.25 грн |
| 500+ | 72.17 грн |
| 1000+ | 65.91 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 36595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 322+ | 114.70 грн |
| 500+ | 103.23 грн |
| 1000+ | 95.21 грн |
| 10000+ | 81.84 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 322+ | 114.70 грн |
| 500+ | 103.23 грн |
| 1000+ | 95.21 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.03 грн |
| 10+ | 87.95 грн |
| 25+ | 69.06 грн |
| 100+ | 61.18 грн |
| 250+ | 57.47 грн |
| 500+ | 55.28 грн |
| 1000+ | 54.82 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 151.05 грн |
| 10+ | 111.81 грн |
| 25+ | 101.02 грн |
| 100+ | 86.54 грн |
| 250+ | 75.23 грн |
| 500+ | 69.28 грн |
| 1000+ | 65.91 грн |
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCD57200DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1500uF 25V EHR 13x21mm (EHR152M25B-Hitano) Код товару: 153899
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 2000 годин
у наявності: 226 шт
- 67 шт - склад
- 68 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.70 грн |
| 100+ | 5.90 грн |