Інші пропозиції NCD57200DR2G за ціною від 34.77 грн до 182.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
 Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 36595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 19750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 1500uF 25V EHR 13x21mm (EHR152M25B-Hitano) Код товару: 153899
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 280 шт
172 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.70 грн |
| 100+ | 5.90 грн |