NCD57200DR2G ON Semiconductor
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 318+ | 40.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCD57200DR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: -, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NCD57200DR2G за ціною від 34.69 грн до 182.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 36595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated High Side Non-Isolated LowSide |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : onsemi |
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Number of Channels: 1 |
на замовлення 19750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
NCD57200DR2G Код товару: 212255
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
NCD57200DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |