NCD57201DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.30 грн |
| 250+ | 52.15 грн |
| 500+ | 50.81 грн |
| 1000+ | 42.06 грн |
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Технічний опис NCD57201DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: NSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCD57201DR2G за ціною від 42.06 грн до 193.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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NCD57201DR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers HIGH VOLTAGE, LOW AND ISOLATED HIGH SIDE GATE DRIVER |
на замовлення 4882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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NCD57201DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57201DR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 1KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 1.9A, 2.3A Voltage - Isolation: 1000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 8ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 20V |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57201DR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 1KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 1.9A, 2.3A Voltage - Isolation: 1000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 8ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 20V |
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