Продукція > ONSEMI > NCD57530DWKR2G
NCD57530DWKR2G

NCD57530DWKR2G onsemi

ncd57540-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Voltage - Output Supply: 32V
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Approval Agency: VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 6.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+191.73 грн
2000+177.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCD57530DWKR2G onsemi

Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE, Voltage - Output Supply: 32V, Number of Channels: 2, Part Status: Active, Pulse Width Distortion (Max): 20ns, Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns, Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs, Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns, Supplier Device Package: 16-SOIC, Approval Agency: VDE, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A, Technology: Capacitive Coupling, Current - Peak Output: 6.5A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NCD57530DWKR2G за ціною від 158.59 грн до 382.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCD57530DWKR2G NCD57530DWKR2G onsemi ncd57540-d.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.32 грн
10+252.89 грн
25+200.17 грн
100+183.25 грн
250+174.80 грн
500+163.52 грн
1000+158.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G NCD57530DWKR2G onsemi ncd57540-d.pdf Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.19 грн
10+330.39 грн
25+312.33 грн
100+241.00 грн
250+216.25 грн
500+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G ncd57540-d.pdf
NCD57530DWKR2G
Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+336.32 грн
10+252.89 грн
25+200.17 грн
100+183.25 грн
250+174.80 грн
500+163.52 грн
1000+158.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G ncd57540-d.pdf
NCD57530DWKR2G
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+382.19 грн
10+330.39 грн
25+312.33 грн
100+241.00 грн
250+216.25 грн
500+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.