на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.15 грн |
| 5000+ | 29.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP1392BDR2G ON Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 8V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A, Part Status: Not For New Designs, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NCP1392BDR2G за ціною від 27.23 грн до 74.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HV HALF-BRIDGE DRVER |
на замовлення 9820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2413 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NCP1392BDR2G Код товару: 100817 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NCP1392BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V Type of integrated circuit: driver Output current: -1A...500mA Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 8...17.5V DC Voltage class: 600V Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V Type of integrated circuit: driver Output current: -1A...500mA Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 8...17.5V DC Voltage class: 600V Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 20ns |
товар відсутній |