Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NCP1392BDR2G за ціною від 22.50 грн до 136.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 282500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 282500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 372448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 372448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HV HALF-BRIDGE DRVER |
на замовлення 5157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 7247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2413 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2V 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
NCP1392BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V Type of integrated circuit: driver Output current: -1...0.5A Case: SO8 Mounting: SMD Topology: MOSFET half-bridge Pulse fall time: 20ns Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 40ns Supply voltage: 8...17.5V DC Voltage class: 600V |
товару немає в наявності |




