NCP3420DR2G ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP3420DR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 4.6V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 13.2V, Eingabeverzögerung: 30ns, Ausgabeverzögerung: 30ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NCP3420DR2G за ціною від 12.41 грн до 38.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP3420DR2G | Виробник : onsemi |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.6V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 11ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP3420DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 30ns Ausgabeverzögerung: 30ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.6V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 11ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 34605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP3420DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers TSMC 12V FET DRVR |
на замовлення 16155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 30ns Ausgabeverzögerung: 30ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NCP3420DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NCP3420DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NCP3420DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; H-bridge; high-side,low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 4.6...13.2V DC Mounting: SMD Operating temperature: 0...85°C |
товару немає в наявності |